K9F2G08X0C_0.1.pdf

?電壓供電

- 3.3V的裝置（k9f2g08u0c）：3.60v 2.70v ~

?組織

記憶細胞陣列：（8 x 8位256M +）

注冊日期：（2K + 64 X 8位）

?自動程序和erase

頁：（2K +（64字節）

塊erase（128K的4k字節+）：

?頁面讀取操作

SDS-PAGE（2K +尺寸：64字節）

隨機讀：35μs（max）。

串行接入：30ns（分鐘）。

?快速寫周期時間

項目時間：250μs SDS-PAGE（型）。

erase：2ms的時間塊（型）。

●命令/地址/數據復用的I/O端口

?硬件數據保護

程序鎖定在電力transitions / erase

?可靠的CMOS浮柵技術

-耐力和數據保留的改革gualification report to the：

等等regnirement：1位/ 528bytes?命令驅動的經營

?獨特的ID和版權保護

●包裝：

k9f2g08u0c -鉛- sib0：scb0 /無包裝

48引腳的TSOP（12 x 20／0.5毫米間距）

k9f2g08u0c -鉛- hib0：hcb0 /無包裝

63球FBGA封裝（9 / 11 x 0.8 mm間距